IRF8736TRPBF vs IRF8736PBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF8736TRPBF от Infineon и IRF8736PBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF - 30V 18A N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRF8736TRPBF - 30V 18A N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRF8736TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRF8736PBF IRF8736PBF - 30V 18A N-Channel HEXFET MOSFET SO-8 | Infineon

IRF8736PBF - 30V 18A N-Channel HEXFET MOSFET SO-8 | Infineon

IRF8736PBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF8736TRPBF IRF8736PBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,27 $0,45
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET / HEXFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 18 A —
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C 2.5 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 4.8 mOhm at VGS = 10V —
Gate Charge (Qg) Typical 17 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Корпус SO-8 (8-SO, MS-012AA) SO-8 (8-SO)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (junction) -55°C to +150°C (junction)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) —
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (Unlimited)
Avalanche Rated Yes (fully characterized avalanche voltage) Yes (fully characterized avalanche voltage and current)
Configuration Single —
Packaging Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=70°C — [DATA_NEEDED: ID at TA=70°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 4.8 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 6.0 mΩ (typical)
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — Logic-level (optimized for 5 V drive)
Total Gate Charge Qg — 17 nC (typical)
Maximum Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
RoHS / Lead-Free — Lead-Free, RoHS3 Compliant
Qualification Standard — JEDEC

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену