IRF8736TRPBF vs IRFR2405TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF8736TRPBF par Infineon et IRFR2405TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF8736TRPBF | IRFR2405TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,27 | $0,61 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | StrongIRFET / HEXFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 18 A | — |
| Power Dissipation (PD) Max at TA=25C | 2.5 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | 4.8 mOhm at VGS = 10V | — |
| Gate Charge (Qg) Typical | 17 nC | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Boîtier | SO-8 (8-SO, MS-012AA) | TO-252AA (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Avalanche Rated | Yes (fully characterized avalanche voltage) | Yes (100% avalanche tested) |
| Configuration | Single | — |
| Packaging | Tape & Reel (TRPBF suffix) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Status | — | Active |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 56 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 16 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 70 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain, Source) + Tab |
| Statut RoHS | — | Compliant (Lead-Free PBF suffix) |
| Sans halogène | — | [DATA_NEEDED: halogen-free status] |