IRF9530NSTRLPBF vs IRF9530NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF9530NSTRLPBF par Infineon et IRF9530NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF9530NSTRLPBF IRF9530NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,65
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -14 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 200 mOhm 200 mΩ
Total Gate Charge (Qg) 38.7 nC (typ) —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 79 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Thermal Resistance Theta_JC 1.5 C/W (typ) —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (TJ) —
Boîtier D2PAK (TO-263-3) TO-220AB (through-hole)
Type de montage Surface Mount Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix) —
Technology HEXFET (Planar DMOS) —
Avalanche Rated [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — -14 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) typ — 38.7 nC
Maximum Power Dissition at TC=25°C — 79 W
Température de jonction en fonctionnement — -55°C to +175°C
Mounting Screw Torque (max) — [DATA_NEEDED: maximum torque]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated
dv/dt Rating — Dynamic dV/dt rated
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant

Fiches techniques et ressources

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