IRF9530NSTRLPBF vs IRF9530NPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF9530NSTRLPBF от Infineon и IRF9530NPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF -100V P-Ch HEXFET MOSFET, 14A, D2PAK | Infineon

IRF9530NSTRLPBF -100V P-Ch HEXFET MOSFET, 14A, D2PAK | Infineon

IRF9530NSTRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF9530NSTRLPBF IRF9530NPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,65 $0,65
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -14 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 200 mOhm 200 mΩ
Total Gate Charge (Qg) 38.7 nC (typ) —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 79 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Thermal Resistance Theta_JC 1.5 C/W (typ) —
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (TJ) —
Корпус D2PAK (TO-263-3) TO-220AB (through-hole)
Тип монтажа Surface Mount Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix) —
Technology HEXFET (Planar DMOS) —
Avalanche Rated [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — -14 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) typ — 38.7 nC
Maximum Power Dissition at TC=25°C — 79 W
Рабочая температура перехода — -55°C to +175°C
Mounting Screw Torque (max) — [DATA_NEEDED: maximum torque]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated
dv/dt Rating — Dynamic dV/dt rated
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену