IRF9530NSTRLPBF vs IRF9530NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF9530NSTRLPBF por Infineon e IRF9530NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF9530NSTRLPBF IRF9530NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,65
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -14 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 200 mOhm 200 mΩ
Total Gate Charge (Qg) 38.7 nC (typ) —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 79 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Thermal Resistance Theta_JC 1.5 C/W (typ) —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (TJ) —
Encapsulamento D2PAK (TO-263-3) TO-220AB (through-hole)
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix) —
Technology HEXFET (Planar DMOS) —
Avalanche Rated [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — -14 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) typ — 38.7 nC
Maximum Power Dissition at TC=25°C — 79 W
Temperatura de junção de operação — -55°C to +175°C
Mounting Screw Torque (max) — [DATA_NEEDED: maximum torque]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated
dv/dt Rating — Dynamic dV/dt rated
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant

Fichas técnicas e recursos

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