IRF9530NSTRLPBF vs IRF9540NSTRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF9530NSTRLPBF par Infineon et IRF9540NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF9530NSTRLPBF | IRF9540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,65 | $0,58 |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -14 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | 200 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 38.7 nC (typ) | 64.7 nC |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] | — |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | 79 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| Thermal Resistance Theta_JC | 1.5 C/W (typ) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (TJ) | — |
| Boîtier | D2PAK (TO-263-3) | D2PAK (TO-263), surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free suffix) | — |
| Technology | HEXFET (Planar DMOS) | HEXFET, Advanced Process |
| Avalanche Rated | [DATA_NEEDED: EAS rating] | Yes |
| Manufacturer | — | Infineon (formerly International Rectifier) |
| Product Type | — | Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | -23 A (at Tc) |
| On-Resistance (Rds(on)) | — | 117 mOhm max |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.1 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 110 W |
| Operating Mode | — | Enhancement-mode |
| Lead Finish | — | Pb-free, RoHS-compliant |
| Shipping Media | — | Tape and Reel (TR suffix) |