IRF9530NSTRLPBF vs IRF9540NSTRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRF9530NSTRLPBF メーカー: Infineon および IRF9540NSTRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF - 100V P-Ch 23A MOSFET, 117mOhm | Infineon

IRF9540NSTRLPBF - 100V P-Ch 23A MOSFET, 117mOhm | Infineon

IRF9540NSTRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF9530NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.65 $0.58
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -14 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 38.7 nC (typ) 64.7 nC
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 79 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Thermal Resistance Theta_JC 1.5 C/W (typ) —
動作温度範囲 -55C to +150C (TJ) —
パッケージ D2PAK (TO-263-3) D2PAK (TO-263), surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix) —
Technology HEXFET (Planar DMOS) HEXFET, Advanced Process
Avalanche Rated [DATA_NEEDED: EAS rating] Yes
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Product Type — Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — -100 V
Continuous Drain Current (Id) — -23 A (at Tc)
On-Resistance (Rds(on)) — 117 mOhm max
Power Dissipation (Ta) — 3.1 W
Power Dissipation (Tc) — 110 W
Operating Mode — Enhancement-mode
Lead Finish — Pb-free, RoHS-compliant
Shipping Media — Tape and Reel (TR suffix)

データシート&リソース

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