IRFB4110PBF vs IRF1010EPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFB4110PBF par Infineon et IRF1010EPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFB4110PBF IRF1010EPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,55 $0,45
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier TO-220AB (through-hole) TO-220AB
Technology HEXFET (planar DMOS) HEXFET Power MOSFET
Type de montage Through Hole Through Hole
Statut RoHS Compliant (Pb-free suffix) RoHS3 Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 84 A at Tc
Power Dissipation (PD) — 200 W at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 12 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 86.6 nC
Configuration — Single FET
Niveau MSL — 3 (168 Hours)
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Rise Time / Fall Time — [DATA_NEEDED: switching times]
Thermal Resistance (RthJC) — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to case]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: input capacitance]

Fiches techniques et ressources

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