IRFB4110PBF vs IRF1010EPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFB4110PBF por Infineon e IRF1010EPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFB4110PBF IRF1010EPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,55 $0,45
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) TO-220AB
Technology HEXFET (planar DMOS) HEXFET Power MOSFET
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Status RoHS Compliant (Pb-free suffix) RoHS3 Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 84 A at Tc
Power Dissipation (PD) — 200 W at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 12 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 86.6 nC
Configuration — Single FET
Nível MSL — 3 (168 Hours)
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Rise Time / Fall Time — [DATA_NEEDED: switching times]
Thermal Resistance (RthJC) — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to case]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: input capacitance]

Fichas técnicas e recursos

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