IRFB4110PBF vs IRF1010EPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFB4110PBF por Infineon y IRF1010EPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFB4110PBF IRF1010EPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,55 $0,45
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Encapsulado TO-220AB (through-hole) TO-220AB
Technology HEXFET (planar DMOS) HEXFET Power MOSFET
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Estado RoHS Compliant (Pb-free suffix) RoHS3 Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 84 A at Tc
Power Dissipation (PD) — 200 W at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 12 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 86.6 nC
Configuration — Single FET
Nivel MSL — 3 (168 Hours)
Temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Rise Time / Fall Time — [DATA_NEEDED: switching times]
Thermal Resistance (RthJC) — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to case]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: input capacitance]

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización