IRFB4110PBF vs IRF540ZPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFB4110PBF מאת Infineon ו IRF540ZPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFB4110PBF IRF540ZPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +175 °C —
מארז TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3-lead)
Technology HEXFET (planar DMOS) HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free suffix) Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) Yes
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF540ZPBF
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C — 36 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 26.5 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 42 nC
Power Dissipation (P_D) at T_C=25C — 92 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
טווח טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +175 C
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source)
Automotive Qualified — Yes (per datasheet description)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר