IRFB4127PBF vs IRFB7545PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFB4127PBF par Infineon et IRFB7545PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFB4127PBF IRFB7545PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,68 $0,95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IRFB4127PBF IRFB7545PBF
Technology TrenchFET Gen 6 (HEXFET) StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 76 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) max 20 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 100 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc 375 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C -55C to +175C
Boîtier / Format TO-220AB (through-hole) —
Type de montage Through Hole Through Hole (THT)
Statut RoHS Lead-Free (PBF suffix indicates RoHS compliance) —
Configuration Single —
Polarity — N-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) max — 60 V
VGS (Gate-Source Voltage) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 5.9 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 380 A
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) — 57 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Boîtier — TO-220AB (Through-Hole)
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-Free, PBF suffix)
Niveau MSL — N/A (Through-Hole)
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Avalanche Energy Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

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