IRFB4127PBF vs IRFB7545PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFB4127PBF por Infineon e IRFB7545PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFB4127PBF IRFB7545PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,68 $0,95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IRFB4127PBF IRFB7545PBF
Technology TrenchFET Gen 6 (HEXFET) StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 76 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (Vgs) max ±20 V —
Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) max 20 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 100 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc 375 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C -55C to +175C
Encapsulamento / Caixa TO-220AB (through-hole) —
Tipo de montagem Through Hole Through Hole (THT)
Status RoHS Lead-Free (PBF suffix indicates RoHS compliance) —
Configuration Single —
Polarity — N-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) max — 60 V
VGS (Gate-Source Voltage) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 5.9 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 380 A
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) — 57 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Encapsulamento — TO-220AB (Through-Hole)
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-Free, PBF suffix)
Nível MSL — N/A (Through-Hole)
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Avalanche Energy Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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