IRFB4310PBF vs IRFB4110PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFB4310PBF par Infineon et IRFB4110PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFB4310PBF IRFB4110PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,95 $1,55
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (planar DMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7 mOhm 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 5.6 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] ±20 V
Total Gate Charge (Qg) 170 nC —
Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) —
Boîtier TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Avalanche Rated Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant (Pb-free suffix)
Lead-Free Yes (Pb-free PBF suffix) Yes (PBF suffix denotes Pb-free)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C

Fiches techniques et ressources

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