IRFB4310PBF vs IRFB4110PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFB4310PBF por Infineon e IRFB4110PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFB4310PBF IRFB4110PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,95 $1,55
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (planar DMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7 mOhm 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 5.6 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] ±20 V
Total Gate Charge (Qg) 170 nC —
Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) —
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Avalanche Rated Yes —
Status RoHS Compliant Compliant (Pb-free suffix)
Lead-Free Yes (Pb-free PBF suffix) Yes (PBF suffix denotes Pb-free)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C

Fichas técnicas e recursos

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