IRFH8201TRPBF vs IRFH7084TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFH8201TRPBF par Infineon et IRFH7084TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFH8201TRPBF IRFH7084TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $0,45
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET (trench MOSFET) StrongIRFET™ (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 324 A —
RDS(on) max at VGS=10V 0.95 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.35 V max —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC at VGS=10V —
Output Capacitance (Coss) 7.33 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 850 pF —
Power Dissipation (TA) 3.6 W —
Power Dissipation (TC) 156 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55°C to +175°C (TJ)
Boîtier SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) — 100 A
Silicon-Limited Drain Current — 265 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 156 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.25 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 0.95 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V to 2.7 V
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V — 6560 pF
Sans halogène — Compliant
RthJC max — 0.96 °C/W (per datasheet)

Fiches techniques et ressources

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