IRFH8201TRPBF vs IRFH7084TRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRFH8201TRPBF от Infineon и IRFH7084TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRFH8201TRPBF | IRFH7084TRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,05 | $0,45 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | StrongIRFET (trench MOSFET) | StrongIRFET™ (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 49 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 324 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 0.95 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.35 V max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 56 nC at VGS=10V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 7.33 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 850 pF | — |
| Power Dissipation (TA) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 156 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C | -55°C to +175°C (TJ) |
| Корпус | SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad | 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) | — | 100 A |
| Silicon-Limited Drain Current | — | 265 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 156 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.25 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | — | 0.95 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.7 V to 2.7 V |
| Input Capacitance (Ciss) max @ 25V | — | 6560 pF |
| Без галогенов | — | Compliant |
| RthJC max | — | 0.96 °C/W (per datasheet) |