IRFH8201TRPBF vs IRFH7084TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFH8201TRPBF por Infineon e IRFH7084TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFH8201TRPBF IRFH7084TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,05 $0,45
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET (trench MOSFET) StrongIRFET™ (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 324 A —
RDS(on) max at VGS=10V 0.95 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.35 V max —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC at VGS=10V —
Output Capacitance (Coss) 7.33 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 850 pF —
Power Dissipation (TA) 3.6 W —
Power Dissipation (TC) 156 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C -55°C to +175°C (TJ)
Encapsulamento SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Status RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) — 100 A
Silicon-Limited Drain Current — 265 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 156 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.25 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 0.95 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V to 2.7 V
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V — 6560 pF
Livre de halogênio — Compliant
RthJC max — 0.96 °C/W (per datasheet)

Fichas técnicas e recursos

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