IRFH8201TRPBF vs IRFH7084TRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRFH8201TRPBF 제조: Infineon 및 IRFH7084TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRFH8201TRPBF | IRFH7084TRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.05 | $0.45 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | StrongIRFET (trench MOSFET) | StrongIRFET™ (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 49 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 324 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 0.95 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.35 V max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 56 nC at VGS=10V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 7.33 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 850 pF | — |
| Power Dissipation (TA) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 156 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C | -55°C to +175°C (TJ) |
| 패키지 | SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad | 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) | — | 100 A |
| Silicon-Limited Drain Current | — | 265 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 156 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.25 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | — | 0.95 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.7 V to 2.7 V |
| Input Capacitance (Ciss) max @ 25V | — | 6560 pF |
| 할로겐 프리 | — | Compliant |
| RthJC max | — | 0.96 °C/W (per datasheet) |