IRFP2907PBF vs IRF150P220AKMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFP2907PBF par Infineon et IRF150P220AKMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFP2907PBF IRF150P220AKMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,45 $3,55
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRFP2907PBF IRF150P220AKMA1
Technology HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel) StrongIRFET
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 75 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C 209 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) 4.5 mOhm at V_GS = 10 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C 470 W —
Total Gate Charge (Q_g) 410 nC —
Maximum Junction Operating Temperature +175 C —
Package / Mounting Type TO-247AC (Through Hole) —
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS Compliance Yes (Pb-free) —
Avalanche Rated Yes (repetitive avalanche rated) —
Body Diode Integral (no external anti-parallel diode required) —
Lead-Free Yes Yes
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS max) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 203 A
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 2.7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS max) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 556 W
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 3.8 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
Boîtier — TO-247-3 (PG-TO247-3)
Type de montage — Through Hole
Terminal Finish — Tin (Sn)
JESD-609 Code — e3
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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