IRFP2907PBF vs IRF150P220AKMA1 比較

詳細な並列比較: IRFP2907PBF メーカー: Infineon および IRF150P220AKMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRFP2907PBF IRF150P220AKMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.45 $3.55
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRFP2907PBF IRF150P220AKMA1
Technology HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel) StrongIRFET
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 75 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C 209 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) 4.5 mOhm at V_GS = 10 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C 470 W —
Total Gate Charge (Q_g) 410 nC —
Maximum Junction Operating Temperature +175 C —
Package / Mounting Type TO-247AC (Through Hole) —
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS Compliance Yes (Pb-free) —
Avalanche Rated Yes (repetitive avalanche rated) —
Body Diode Integral (no external anti-parallel diode required) —
Lead-Free Yes Yes
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS max) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 203 A
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 2.7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS max) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 556 W
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 3.8 W
動作温度範囲 — -55C to +175C
パッケージ — TO-247-3 (PG-TO247-3)
実装タイプ — Through Hole
Terminal Finish — Tin (Sn)
JESD-609 Code — e3
RoHS ステータス — Compliant

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