IRFR120NTRLPBF vs IRFR5305TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR120NTRLPBF par Infineon et IRFR5305TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR120NTRLPBF IRFR5305TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $0,38
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET fifth-generation planar MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 210 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
Plage de température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Avalanche Energy Rated Yes (fully avalanche rated) —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Finish Yes (Pb-free) —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -31 A
RDS(on) max at VGS=-10V — 65 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis