IRFR120NTRLPBF vs IRFR5305TRLPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRFR120NTRLPBF от Infineon и IRFR5305TRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRFR120NTRLPBF | IRFR5305TRLPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,62 | $0,38 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET fifth-generation planar MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 9.4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 210 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 16.7 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 48 W | — |
| Диапазон рабочей температуры перехода | -55C to +175C | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Корпус | PG-TO252-3 (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free Finish | Yes (Pb-free) | — |
| Polarity / Channel Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -31 A |
| RDS(on) max at VGS=-10V | — | 65 mΩ |
| RDS(on) max at VGS=-5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Pb-free, suffix "PBF") |
| Tape & Reel Orientation | — | Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) |