IRFR2405TRPBF vs IRLB8748PBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR2405TRPBF par Infineon et IRLB8748PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR2405TRPBF | IRLB8748PBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,61 | $0,68 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 56 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 16 mOhm | 4.8 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 70 nC | 15 nC typical |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Through Hole |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) + Tab | — |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Statut RoHS | Compliant (Lead-Free PBF suffix) | Compliant (Pb-free PBF suffix) |
| Sans halogène | [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Avalanche Rated | Yes (100% avalanche tested) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 92 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 75 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C (junction) |
| Package Type | — | TO-220AB through-hole |
| Technology Family | — | StrongIRFET / HEXFET |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Logic-Level Gate Drive | — | Yes (optimized for 5V VGS) |
| Qualification Standard | — | JEDEC (Industrial market per datasheet) |