IRFR3411TRPBF vs IRFZ34NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR3411TRPBF par Infineon et IRFZ34NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR3411TRPBF IRFZ34NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,55 $0,61
Polarity N-Channel —
FET Type MOSFET (Metal Oxide) N-Channel, Enhancement Mode
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 100 V —
RDS(on) max @ VGS=10V 44 mOhm —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 32 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 130 W —
Gate Charge (Qg) 48 nC —
Operating Mode Enhancement —
Maximum Junction Temperature 175 C 175 C
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55 C to +175 C
Boîtier TO-252AA (DPAK) TO-220AB (3-pin + tab, through-hole)
Type de montage Surface Mount Through Hole
Nombre de broches 3 —
Technology HEXFET Power MOSFET (IR) HEXFET (Planar DMOS, 5th generation)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
dv/dt Rating Dynamic dv/dt rated —
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-free, PBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C — 29 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 40 mOhm
Gate Charge (Q_g) typ — 22.7 nC
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Input Capacitance (C_iss) typ — [DATA_NEEDED: input capacitance]
Lead-Free Status — Yes (Pb-free, RoHS compliant)
Qualification — JEDEC standard
Statut RoHS — Compliant
Configuration — Single N-Channel, 3-pin (3+tab)

Fiches techniques et ressources

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