IRFR3710ZTRPBF vs IRLR3410TRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR3710ZTRPBF par Infineon et IRLR3410TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR3710ZTRPBF | IRLR3410TRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,42 | $0,65 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] | 60 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 18 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 140 W | 79 W |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | -55C to +175C |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (tape and reel) |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRLR3410TRLPBF |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 105 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V] |
| Gate-Source Threshold VGS(th) typ | — | 2.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 22.7 nC |
| Gate Drive Level | — | Logic level (5V capable) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free) |
| Niveau MSL | — | 1 |
| Avalanche Rated | — | Yes (UIS tested) |