IRFR3710ZTRPBF vs IRLR3410TRLPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRFR3710ZTRPBF por Infineon e IRLR3410TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRFR3710ZTRPBF | IRLR3410TRLPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,42 | $0,65 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] | 60 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 18 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 140 W | 79 W |
| Temperatura de junção de operação | -55C to +175C | -55C to +175C |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET |
| Encapsulamento | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount (tape and reel) |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRLR3410TRLPBF |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 105 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V] |
| Gate-Source Threshold VGS(th) typ | — | 2.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 22.7 nC |
| Gate Drive Level | — | Logic level (5V capable) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free) |
| Nível MSL | — | 1 |
| Avalanche Rated | — | Yes (UIS tested) |