IRFR5305TRPBF vs IPD380P06NMATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR5305TRPBF par Infineon et IPD380P06NMATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR5305TRPBF | IPD380P06NMATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,32 | $0,49 |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | 65 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -2 V to -4 V | — |
| Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 110 W | — |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | 270 mJ | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C | -55 C to +150 C (junction) |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | OptiMOS P-channel trench |
| Niveau MSL | 1 | 1 |
| Statut RoHS | Compliant (Pb-free PBF suffix) | Compliant |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| Polarity / Channel Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | — | 60 V |
| Courant de drain continu (TC=25°C) | — | 35 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 125 W |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Avalanche Rated | — | Yes (per manufacturer datasheet) |
| Target Applications | — | Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch |
| Lead-Free | — | Yes |
| Automotive Qualified | — | Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade] |