IRFR5305TRPBF vs IPD380P06NMATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRFR5305TRPBF 제조: Infineon 및 IPD380P06NMATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRFR5305TRPBF | IPD380P06NMATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.32 | $0.49 |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | 65 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -2 V to -4 V | — |
| Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 110 W | — |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | 270 mJ | — |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +175 C | -55 C to +150 C (junction) |
| 패키지 | TO-252AA (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | OptiMOS P-channel trench |
| MSL 레벨 | 1 | 1 |
| RoHS 상태 | Compliant (Pb-free PBF suffix) | Compliant |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| Polarity / Channel Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | — | 60 V |
| 연속 드레인 전류 (TC=25°C) | — | 35 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 125 W |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Avalanche Rated | — | Yes (per manufacturer datasheet) |
| Target Applications | — | Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch |
| Lead-Free | — | Yes |
| Automotive Qualified | — | Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade] |