IRFR5410TRRPBF vs IRFR5305TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR5410TRRPBF par Infineon et IRFR5305TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR5410TRRPBF IRFR5305TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,49 $0,38
Polarity P-Channel —
FET Type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) —
Technology HEXFET (5th Generation) HEXFET fifth-generation planar MOSFET
VDS (Drain-Source Voltage) -100 V —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Gate Threshold) -2 V to -4 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -13 A -31 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at 100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max at VGS=-10V 205 mΩ 65 mΩ
RDS(on) typical at VGS=-10V 26 mΩ (per Mouser listing for IRFR5410TRPBF) —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 66 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C -55C to +175C
Boîtier TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

Fiches techniques et ressources

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