IRFR5410TRRPBF vs IRFR5305TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR5410TRRPBF por Infineon e IRFR5305TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR5410TRRPBF IRFR5305TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,49 $0,38
Polarity P-Channel —
FET Type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) —
Technology HEXFET (5th Generation) HEXFET fifth-generation planar MOSFET
VDS (Drain-Source Voltage) -100 V —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Gate Threshold) -2 V to -4 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -13 A -31 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at 100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max at VGS=-10V 205 mΩ 65 mΩ
RDS(on) typical at VGS=-10V 26 mΩ (per Mouser listing for IRFR5410TRPBF) —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 66 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +150C -55C to +175C
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

Fichas técnicas e recursos

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