IRFR5505TRPBF vs IRFR6215TRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR5505TRPBF par Infineon et IRFR6215TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR5505TRPBF | IRFR6215TRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,48 | $0,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Series | HEXFET | — |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET 5th generation) | HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | -72 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | 110 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 21.3 nC | — |
| Gate-Source Charge (Qgs) | [DATA_NEEDED: Qgs] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Rise Time (tr) | [DATA_NEEDED: tr] | — |
| Fall Time (tf) | [DATA_NEEDED: tf] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 57 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | 2.2 C/W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) | 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper) | — |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant (PBF suffix) | Compliant |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | Yes |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -13 A |
| RDS(on) max at VGS=-10V | — | 580 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 44 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| Maximum Operating Junction Temperature | — | 175 C |
| Niveau MSL | — | 1 |