IRFS3107TRL7PP vs IRFS3306TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFS3107TRL7PP par Infineon et IRFS3306TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFS3107TRL7PP IRFS3306TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,85 $1,12
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology IR HEXFET (Planar DMOS) IR MOSFET™ (HEXFET-style planar stripe)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 75 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 240 A (DigiKey) / 195 A (per package datasheet snippet) —
Courant de drain pulsé [DATA_NEEDED: pulsed ID] —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3 mOhm (Infineon) / 2.6 mOhm (Mouser) 4.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] 2.0 V to 4.0 V (typical range)
Gate Charge (Qg) Typical 160 nC —
Maximum Power Dissition @ Tc=25C 370 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C (junction)
Boîtier D2PAK-7 (TO-263CB, 6 leads + tab) D2PAK (TO-263), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 120 A (Infineon datasheet; 160 A pulsed per IR datasheet family)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Total Gate Charge (Qg) — 85 nC
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 230 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (PbF, Halogen-Free per Infineon datasheet)
Tape & Reel Packaging — 13-inch reel, 800 pcs/reel typical
Body Diode dV/dt Capability — Enhanced (per Infineon datasheet feature)

Fiches techniques et ressources

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