IRFS3107TRL7PP vs IRFS3306TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFS3107TRL7PP por Infineon e IRFS3306TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFS3107TRL7PP IRFS3306TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,85 $1,12
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology IR HEXFET (Planar DMOS) IR MOSFET™ (HEXFET-style planar stripe)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 75 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 240 A (DigiKey) / 195 A (per package datasheet snippet) —
Corrente de dreno pulsada [DATA_NEEDED: pulsed ID] —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3 mOhm (Infineon) / 2.6 mOhm (Mouser) 4.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] 2.0 V to 4.0 V (typical range)
Gate Charge (Qg) Typical 160 nC —
Maximum Power Dissition @ Tc=25C 370 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C (junction)
Encapsulamento D2PAK-7 (TO-263CB, 6 leads + tab) D2PAK (TO-263), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 120 A (Infineon datasheet; 160 A pulsed per IR datasheet family)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Total Gate Charge (Qg) — 85 nC
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 230 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (PbF, Halogen-Free per Infineon datasheet)
Tape & Reel Packaging — 13-inch reel, 800 pcs/reel typical
Body Diode dV/dt Capability — Enhanced (per Infineon datasheet feature)

Fichas técnicas e recursos

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