IRFS3107TRL7PP vs IRFS3306TRLPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFS3107TRL7PP 제조: Infineon 및 IRFS3306TRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRFS3107TRL7PP IRFS3306TRLPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.85 $1.12
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology IR HEXFET (Planar DMOS) IR MOSFET™ (HEXFET-style planar stripe)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 75 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 240 A (DigiKey) / 195 A (per package datasheet snippet) —
펄스 드레인 전류 [DATA_NEEDED: pulsed ID] —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3 mOhm (Infineon) / 2.6 mOhm (Mouser) 4.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] 2.0 V to 4.0 V (typical range)
Gate Charge (Qg) Typical 160 nC —
Maximum Power Dissition @ Tc=25C 370 W —
동작 온도 범위 -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C (junction)
패키지 D2PAK-7 (TO-263CB, 6 leads + tab) D2PAK (TO-263), surface mount
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 120 A (Infineon datasheet; 160 A pulsed per IR datasheet family)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Total Gate Charge (Qg) — 85 nC
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 230 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (PbF, Halogen-Free per Infineon datasheet)
Tape & Reel Packaging — 13-inch reel, 800 pcs/reel typical
Body Diode dV/dt Capability — Enhanced (per Infineon datasheet feature)

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