IRFZ48NSTRLPBF vs IRFR2405TRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFZ48NSTRLPBF par Infineon et IRFR2405TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFZ48NSTRLPBF | IRFR2405TRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,18 | $0,55 |
| FET Type | N-Channel Power MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 64 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 200 A (typical, per datasheet family) |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) | 14 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 54 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 130 W | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 | 3.8 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | D2PAK (TO-263) Surface Mount | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel, TRL) | Tape & Reel (TR) |
| Lead Finish | Lead-free (PBF) matte tin | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Technology Family | HEXFET advanced process technology | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 56 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 16 mOhm |
| Gate Charge (Qg) typical | — | 70 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 110 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C (junction) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized design) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant |