IRL40S212ARMA1 vs IPD034N06N3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRL40S212ARMA1 par Infineon et IPD034N06N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRL40S212ARMA1 | IPD034N06N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,31 | $0,51 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | StrongIRFET™ | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 195 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 1.9 mOhm max | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | [DATA_NEEDED: max VGS rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 231 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Tj max] | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Boîtier | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | StrongIRFET™ (planar N-channel) | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free green finish) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 167 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.4 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 4 V at 93 uA |
| Pin Configuration | — | 3-Pin (2 + Tab) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product page) |