IRL40S212ARMA1 vs IPD034N06N3GATMA1 比較

詳細な並列比較: IRL40S212ARMA1 メーカー: Infineon および IPD034N06N3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRL40S212ARMA1 IPD034N06N3GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.31 $0.51
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family StrongIRFET™ —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 195 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on)) 1.9 mOhm max —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Power Dissipation (PD, Tc) 231 W —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: Tj max] [DATA_NEEDED: Tj min/max]
パッケージ PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO252-3 (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology StrongIRFET™ (planar N-channel) N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3)
RoHS ステータス Compliant Compliant (Pb-free green finish)
Lead-Free Yes —
MSLレベル 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 167 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 4 V at 93 uA
Pin Configuration — 3-Pin (2 + Tab)
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product page)

データシート&リソース

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