IRLL2705TRPBF vs IRFL024ZTRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLL2705TRPBF par Infineon et IRFL024ZTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLL2705TRPBF | IRFL024ZTRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,22 | $0,26 |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C | 3.8 A | — |
| Peak Drain Current (IDM, pulsed) | 5.2 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Gate Drive Level | Logic-Level | — |
| Power Dissipation at TA=25 deg C | 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 deg C to +175 deg C | -55C to +150C |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Boîtier | SOT-223 | SOT-223 |
| Dynamic dv/dt Rating | Yes | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | Yes |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 5.1 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | — | 57.5 mOhm |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | 9.1 nC |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | — | 1 W |
| Nombre de broches | — | 3 (+ drain tab) |
| Niveau MSL | — | 1 |