IRLL2705TRPBF vs IRFL024ZTRPBF 比較

詳細な並列比較: IRLL2705TRPBF メーカー: Infineon および IRFL024ZTRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLL2705TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLL2705TRPBF ✓ 生産中
Infineon
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFL024ZTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFL024ZTRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRLL2705TRPBF IRFL024ZTRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.22 $0.26
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET fifth generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C 3.8 A —
Peak Drain Current (IDM, pulsed) 5.2 A —
RDS(on) max at VGS=10V 40 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 32 nC —
Gate Drive Level Logic-Level —
Power Dissipation at TA=25 deg C 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) —
動作温度範囲 -55 deg C to +175 deg C -55C to +150C
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
パッケージ SOT-223 SOT-223
Dynamic dv/dt Rating Yes —
Lead-Free Yes (PBF suffix) Yes
RoHS ステータス Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (Vds) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 5.1 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Rds(on) Max at Vgs=10V — 57.5 mOhm
Gate Charge (Qg) Typ — 9.1 nC
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 1 W
ピン数 — 3 (+ drain tab)
MSLレベル — 1

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼