IRLL2705TRPBF vs IRFL024ZTRPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRLL2705TRPBF por Infineon e IRFL024ZTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRLL2705TRPBF | IRFL024ZTRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,22 | $0,26 |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C | 3.8 A | — |
| Peak Drain Current (IDM, pulsed) | 5.2 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Gate Drive Level | Logic-Level | — |
| Power Dissipation at TA=25 deg C | 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 deg C to +175 deg C | -55C to +150C |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Encapsulamento | SOT-223 | SOT-223 |
| Dynamic dv/dt Rating | Yes | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | Yes |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 5.1 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | — | 57.5 mOhm |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | 9.1 nC |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | — | 1 W |
| Contagem de pinos | — | 3 (+ drain tab) |
| Nível MSL | — | 1 |