IRLML2803TRPBF vs IRLHS6242TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLML2803TRPBF par Infineon et IRLHS6242TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLML2803TRPBF | IRLHS6242TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,13 | $0,12 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRLML2803TRPBF | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | IR MOSFET Generation V | HEXFET (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | 250 mOhm maximum | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Gate Charge (Qg) | 3.3 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 540 mW | — |
| Boîtier | Micro3 / SOT-23 (3-pin) | 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Drive Level | Logic-level (driven from 3.3V / 5V) | Logic-level (4.5V); 2.5V-capable |
| Niveau MSL | 1 | — |
| RoHS Compliance | Compliant, Halogen-Free | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 20 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±12 V |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 12 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | 11.7 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 14 nC |
| Power Dissipation (TA) | — | 1.98 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 9.6 W |
| Température de fonctionnement | — | -55°C to +150°C |
| Qualification | — | JEDEC standard |