IRLML2803TRPBF vs IRLHS6242TRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRLML2803TRPBF от Infineon и IRLHS6242TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRLML2803TRPBF | IRLHS6242TRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,13 | $0,12 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRLML2803TRPBF | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | IR MOSFET Generation V | HEXFET (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | 250 mOhm maximum | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Gate Charge (Qg) | 3.3 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 540 mW | — |
| Корпус | Micro3 / SOT-23 (3-pin) | 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Drive Level | Logic-level (driven from 3.3V / 5V) | Logic-level (4.5V); 2.5V-capable |
| Уровень MSL | 1 | — |
| RoHS Compliance | Compliant, Halogen-Free | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 20 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±12 V |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 12 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | 11.7 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 14 nC |
| Power Dissipation (TA) | — | 1.98 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 9.6 W |
| Рабочая температура | — | -55°C to +150°C |
| Qualification | — | JEDEC standard |