IRLML2803TRPBF vs IRLHS6242TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLML2803TRPBF por Infineon e IRLHS6242TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLML2803TRPBF IRLHS6242TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,13 $0,12
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRLML2803TRPBF —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET Generation V HEXFET (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 250 mOhm maximum —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 3.3 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 540 mW —
Encapsulamento Micro3 / SOT-23 (3-pin) 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (TJ) —
Gate Drive Level Logic-level (driven from 3.3V / 5V) Logic-level (4.5V); 2.5V-capable
Nível MSL 1 —
RoHS Compliance Compliant, Halogen-Free —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±12 V
Continuous Drain Current (TA) — 10 A
Continuous Drain Current (TC) — 12 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — 11.7 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 14 nC
Power Dissipation (TA) — 1.98 W
Power Dissipation (TC) — 9.6 W
Temperatura de operação — -55°C to +150°C
Qualification — JEDEC standard

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