IRLML6346TRPBF vs BSS306NH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLML6346TRPBF par Infineon et BSS306NH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLML6346TRPBF BSS306NH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,18 $0,14
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) 2.3 A (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V]
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier Micro3 / SOT-23 SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Niveau MSL 1 —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Statut RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS306NH6327XTSA1
Part Family — BSS306N (OptiMOS Small Signal)
FET Type — N-Channel
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
RDS(on) max — [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max in V]
Température de fonctionnement — -55°C to +150°C (TJ)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Lead Plating — Pb-free (RoHS compliant)
Configuration — Single N-Channel, 3-pin

Fiches techniques et ressources

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