IRLML6346TRPBF vs BSS306NH6327XTSA1 比較
詳細な並列比較: IRLML6346TRPBF メーカー: Infineon および BSS306NH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IRLML6346TRPBF | BSS306NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.18 | $0.14 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.4 A (TA=25C) | 2.3 A (Ta) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | 63 mOhm | — |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] |
| Gate Drive Capability | 2.5V logic-level | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) | — |
| 動作接合温度 | -55C to +150C | — |
| パッケージ | Micro3 / SOT-23 | SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | MOSFET (Metal Oxide) |
| MSLレベル | 1 | — |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSS306NH6327XTSA1 |
| Part Family | — | BSS306N (OptiMOS Small Signal) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| RDS(on) max | — | [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max in V] |
| 動作温度 | — | -55°C to +150°C (TJ) |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Lead Plating | — | Pb-free (RoHS compliant) |
| Configuration | — | Single N-Channel, 3-pin |