IRLML6346TRPBF vs BSS306NH6327XTSA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRLML6346TRPBF por Infineon e BSS306NH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRLML6346TRPBF | BSS306NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,18 | $0,14 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.4 A (TA=25C) | 2.3 A (Ta) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | 63 mOhm | — |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] |
| Gate Drive Capability | 2.5V logic-level | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) | — |
| Temperatura de junção de operação | -55C to +150C | — |
| Encapsulamento | Micro3 / SOT-23 | SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | MOSFET (Metal Oxide) |
| Nível MSL | 1 | — |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSS306NH6327XTSA1 |
| Part Family | — | BSS306N (OptiMOS Small Signal) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| RDS(on) max | — | [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max in V] |
| Temperatura de operação | — | -55°C to +150°C (TJ) |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Lead Plating | — | Pb-free (RoHS compliant) |
| Configuration | — | Single N-Channel, 3-pin |