IRLR3114ZTRPBF vs IRLR7843TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR3114ZTRPBF par Infineon et IRLR7843TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR3114ZTRPBF IRLR7843TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,46 $0,48
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 130 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max 16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typ) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mOhm —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V 4.9 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 40 nC @ VGS=4.5 V 34 nC
Input Capacitance (Ciss) 3.81 nF —
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) 140 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier TO-252AA (DPAK) surface mount TO-252AA (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (2 + tab) —
Statut RoHS Compliant —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 161 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 140 W
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 4.5 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-to-Source Voltage Max — ±20 V
Avalanche Energy (Eas) — Fully characterized
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)

Fiches techniques et ressources

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