IRLR3114ZTRPBF vs IRLR7843TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR3114ZTRPBF por Infineon e IRLR7843TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR3114ZTRPBF IRLR7843TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,46 $0,48
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 130 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max 16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typ) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mOhm —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V 4.9 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 40 nC @ VGS=4.5 V 34 nC
Input Capacitance (Ciss) 3.81 nF —
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) 140 W —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) surface mount TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 3 (2 + tab) —
Status RoHS Compliant —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 161 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 140 W
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 4.5 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-to-Source Voltage Max — ±20 V
Avalanche Energy (Eas) — Fully characterized
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)

Fichas técnicas e recursos

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