IRLR3410TRLPBF vs IAUC100N10S5N040ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLR3410TRLPBF par Infineon et IAUC100N10S5N040ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IRLR3410TRLPBF | IAUC100N10S5N040ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,65 | $1,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRLR3410TRLPBF | — |
| Technology | HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET | OptiMOS-5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 17 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 60 A | 400 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 105 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V] | — |
| Gate-Source Threshold VGS(th) typ | 2.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 22.7 nC | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Gate Drive Level | Logic level (5V capable) | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 79 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK), surface mount | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount |
| Type de montage | Surface Mount (tape and reel) | Surface Mount |
| RoHS Compliance | Compliant (Pb-free) | — |
| Niveau MSL | 1 | MSL1 (up to 260C peak reflow) |
| Avalanche Rated | Yes (UIS tested) | — |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | — | 100 A (package-limited) |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 167 W @ TC=25C |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 0.9 K/W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C (junction) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 qualified |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche tested |
| AOI Compatibility | — | Feasible for Automatic Optical Inspection |
| Statut RoHS | — | Compliant |